2026年8月4日，存储芯片大厂SK海力士与闪迪（Sandisk）在“FMS2026”闪存峰会上联合发布了高带宽闪存（HighBandwidthFlash，简称HBF）的首个标准规范，同时公布了完整的性能规格、生态合作及量产路线图。
HBF被定义为介于高带宽内存（HBM）与固态硬盘（SSD）之间的全新存储层级。该技术既具备接近HBM的高速数据传输能力，又依托NAND闪存实现了容量的显著扩展。在AI推理应用加速普及、数据处理规模持续激增的背景下，HBF因能够同时满足带宽与容量扩展需求而备受业界关注。
性能规格全面曝光
此次发布的HBF标准规范，是SK海力士自2025年8月与闪迪启动HBF标准化合作、并于2026年2月成立HBF联盟以来，历时约6个月推出的首项重大成果。该规范已通过全球最大开放式数据中心技术组织OCP（Open Compute Project）正式公开发布，定位为面向全行业的开放式标准，而非企业专有技术。
根据标准规范，HBF提供两种堆叠配置方案——8层和16层NAND芯片堆叠，最高支持512GB容量。带宽划分为三个等级（Grade1~3），可实现约0.4TB/s至3.0TB/s的可扩展性能。
在接口方面，HBF采用了行业标准UCIe（Universal Chiplet Interconnect Express）互联方案，为HBF与GPU、CPU等不同类型处理器之间的灵活连接奠定了基础。需要指出的是，该规范是通过全球最大的开放数据中心技术倡议开放计算项目（OCP）披露的，将其定位为整个行业的开放标准，而不是专有技术。
目前，谷歌（Google）与Tenstorrent已作为成员加入HBF联盟，参与了技术验证与标准制定工作。SK海力士计划依托开放合作模式，进一步扩大联盟规模，加速HBF在AI存储市场的规模化落地，并持续提升技术成熟度与市场接受度。
FMS2026多维度展示
在此次峰会上，SK海力士安排了高规格的展示议程：
开幕日主题演讲：SK海力士解决方案开发部门负责人Kim Chun-sung与下一代产品规划负责人KangUk-song联合发表主题演讲，基于“层级内存（Tiered Memory）”架构理念，提出面向下一代AI基础设施的解决方案。
专题小组讨论：8月6日，SK海力士、谷歌DeepMind与闪迪共同参与以“用HBF突破内存墙”为主题的圆桌论坛，探讨HBF在AI基础设施中的关键作用与潜力。
展台重磅亮相：SK海力士首次公开展示了正在研发中的第十代（V10）375层4D NAND晶圆与产品。与前代产品相比，该产品的单位功耗性能提升了2.5倍，更加适配数据中心等要求高能效的AI基础设施环境。
SK海力士还宣布，计划于2027年初启动基于375层4D NAND高性能、高容量企业级SSD（eSSD）的量产，以进一步巩固其在AI NAND市场的领先地位。不过，SK海力士并未明确HBF产品的量产时间。
SK海力士解决方案开发部门负责人Kim Chun-sung表示：“随着AI应用的快速普及，我们正处在数据处理器架构需要全面重新设计的关键时刻。通过HBF，我们将扩展内存与存储之间的边界，为提升系统整体效率的新架构贡献力量。”